Elektronikkomponenter: Skillnad mellan sidversioner
Hoppa till navigering
Hoppa till sök
Hakan (diskussion | bidrag) (→Teori) |
Hakan (diskussion | bidrag) (→Teori) |
||
Rad 128: | Rad 128: | ||
[[Fil:MISFET-Transistor Symbole.svg|thumb|Vanliga symboler för MOSFET av utarmnings- respektive anrikningstyp.]] | [[Fil:MISFET-Transistor Symbole.svg|thumb|Vanliga symboler för MOSFET av utarmnings- respektive anrikningstyp.]] | ||
[[File:NMOS E ON.svg|300|right|N-kanal MOSFET i ledande tillstånf.]] | |||
MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) också känd som MOS[1] är en fälteffekttransistor, utan sådan PN-övergång i kanalen som i en bipolär transistor. En MOSFET består av en kanal med halvledarmaterial av n- eller p-typ och kallas med detta som grund för nMOSFET eller pMOSFET. Traditionellt används kisel som halvledarmaterial. | MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) också känd som MOS[1] är en fälteffekttransistor, utan sådan PN-övergång i kanalen som i en bipolär transistor. En MOSFET består av en kanal med halvledarmaterial av n- eller p-typ och kallas med detta som grund för nMOSFET eller pMOSFET. Traditionellt används kisel som halvledarmaterial. |
Versionen från 10 november 2019 kl. 22.45